Diante dos desafios técnicos do transporte massivo e ligação de chips Micro-LED tradicionais, bem como do contato de alta qualidade entre chips emissores e os eletrodos de condução, este artigo utiliza deposição química em fase vapor de compostos metalorgânicos e deposição por camada atômica para preparar dispositivos Micro-LED baseados em nitreto de gálio sem contato elétrico. Foram estudadas as características voltamétricas, brilho-frequência, atraso de emissão e impedância-frequência do dispositivo, além de analisar o mecanismo de funcionamento. Os resultados experimentais mostraram que a corrente do dispositivo Micro-LED sem contato elétrico acionado por corrente alternada aumenta com a frequência, e a característica I-V apresenta relação linear. Sob um sinal de acionamento de 20 V pico a pico, o brilho do dispositivo primeiro aumenta e depois diminui com a frequência; o brilho máximo foi alcançado a 25 MHz, e o pico de emissão apresentou atraso em relação ao pico de corrente, indicando atraso na emissão. A impedância equivalente do dispositivo diminui inicialmente com o aumento da frequência, estabilizando-se em seguida, e um fenômeno de capacitância negativa foi observado próximo a 53 MHz.

Dispositivos Micro-LED; nitreto de gálio; sem contato elétrico; acionamento por corrente alternada; propriedades optoeletrônicas