As armadilhas profundas em materiais de persistência longa possuem excelentes desempenhos de armazenamento e liberação de energia, conferindo grande vantagem na área de armazenamento de informações ópticas. Este artigo sintetizou um novo material amarelo de persistência longa γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ pelo método sólido em alta temperatura. Seu espectro de emissão é uma emissão de banda larga centrada em 565 nm, com faixa de 400 a 800 nm, atribuída à transição ³P₁→¹S₀ do íon Bi³⁺. Após irradiação com luz ultravioleta, foi observada luminiscência persistente amarela brilhante na amostra de γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺. A análise do espectro termoluminescente indicou três armadilhas principais em γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺, com profundidades de 0,678, 0,838 e 0,978 eV, respectivamente. A armadilha rasa de 0,678 eV é a principal causa do fenômeno de persistência longa neste material, enquanto a intensidade do pico termoluminescente da armadilha profunda de 0,838 eV diminuiu apenas 18,6% após 12 horas, indicando liberação lenta de elétrons das armadilhas profundas. Com base nas propriedades das armadilhas profundas do material, foi projetado um padrão de letras e realizados experimentos de armazenamento óptico de informações, mostrando que este material tem potencial para aplicações no armazenamento de informações.

armazenamento de informações; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; persistência longa amarela; armadilhas