Crescimento por técnica de crescimento definida por borda e propriedades ópticas dos cristais laser infravermelhos Dy3+∶Lu2O3

WANG Gui-ji ,  

DING Xiao-yuan ,  

YIN Yan-ru ,  

JIA Zhi-tai ,  

TAO Xu-tang ,  

摘要

Cristais de Lu2O3 não dopados e dopados com Dy3+ foram preparados pela técnica de crescimento definida por borda (Edge‑defined film‑fed growth technique, EFG). Após a têmpera ao ar, os cristais não dopados e dopados tornaram-se incolores e amarelo claro, respectivamente. Os cristais foram caracterizados por difração de raios X de alta resolução, espectroscopia Raman e espectroscopia de absorção. Os resultados mostraram que a largura de pico da curva de oscilação da difração de raios X dos cristais era de 98,4", 170,4" e 193,9", e a energia máxima do fônon era de 609,0, 611,4 e 612,6 cm-1; os cristais não dopados não apresentaram absorção significativa na faixa de 260~3000 nm, enquanto os cristais dopados apresentaram picos de absorção característicos de Dy3+ em 350, 742, 798, 884, 1063, 1258, 1681, 2774 nm. A excitação com laser de 1258 nm resultou no espectro de fluorescência na faixa de 2,7~3,0 μm, e o tempo de vida do nível 6H13/2 de Dy3+ foi calculado em 17,9 μs e 16,3 μs. Os parâmetros ópticos foram calculados usando a teoria de Judd‐Ofelt (abreviada J‐O), e os resultados mostraram o potencial dos cristais Dy3+∶Lu2O3 para a emissão de laser na faixa de 3 μm.

关键词

Dy3+∶Lu2O3;técnica de crescimento definida por borda;cristais laser infravermelhos

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