Dispositivos emissores de luz visível baseados em estruturas semicondutoras micro e nano de baixa dimensionalidade, especialmente fontes de luz amarelo-verde na faixa de 500 ~ 600 nm, têm grande valor de aplicação em áreas como displays de ultra alta resolução e iluminação, sensores de moléculas individuais e imageamento, devido à sua alta eficiência de emissão, longa vida útil e baixo consumo de energia. Devido a limitações significativas na preparação de materiais emissores, estrutura do dispositivo, bem como os problemas da "lacuna verde/amarela" e "efeito droop" em dispositivos emissores amarelo-verde de baixa dimensionalidade e alto desempenho, o desenvolvimento e aplicação de dispositivos emissores de luz amarelo-verde de baixa dimensão baseados em micro e nanoestruturas são fortemente afetados. Este trabalho utiliza um diodo emissor de luz amarelo de junção heterogênea baseado em um único microfio de óxido de zinco dopado com gálio (ZnO:Ga) e um substrato p-InGaN, cuja saída está na faixa de 580 nm, com largura da meia-altura de aproximadamente 50 nm. Com o aumento da corrente de injeção, a posição do pico do espectro e a largura da meia-altura praticamente não apresentaram mudanças, e o efeito Stark quântico comum nas fontes de luz baseadas em InGaN não foi observado. As coordenadas de cor correspondentes do dispositivo permanecem sempre dentro da faixa da cor amarela. Mais importante ainda, a eficiência quântica externa do dispositivo não diminuiu significativamente sob alta corrente de injeção. Combinando o espectro de fotoluminescência do único microfio ZnO:Ga e InGaN, bem como a teoria da estrutura da banda de energia da junção heterogênea n-ZnO:Ga/p-InGaN, pode-se inferir que a emissão do dispositivo provém da recombinação radiativa dos portadores na interface entre o microfio ZnO:Ga e a região de junção InGaN, com o efeito droop do dispositivo claramente suprimido. Os resultados experimentais indicam que a junção heterogênea n-ZnO:Ga microfio/p-InGaN pode ser usada para fabricar diodos emissores de luz amarela de baixa dimensão, de alto desempenho e alta luminosidade.

diodo emissor de luz amarela; microfio de óxido de zinco dopado com gálio; InGaN; eficiência quântica externa; efeito droop