Foi estudada a concentração de portadores, a taxa de recombinação espontânea e o campo de polarização em LEDs de poços quânticos múltiplos (MQWs) empilhados de InGaN/GaN de dupla onda no plano c por meio de simulação. Os resultados mostram que, ajustando a espessura da camada do poço e a camada da barreira dos MQWs de InGaN empilhados de dupla onda, é possível controlar a distribuição dos portadores, especialmente dos buracos, na região ativa do poço quântico, realizando a modulação da proporção dos picos de emissão de dupla onda. Além disso, foram examinadas as características de emissão dos LEDs com poços quânticos empilhados de InGaN/GaN em superfícies semi-polares cultivadas sob as mesmas condições epitaxiais. Com base nisso, foi proposta uma solução de design para LED branco de chip único baseada em uma estrutura MQWs empilhada multi-comprimento de onda de InGaN/GaN com mistura do plano c e das superfícies semi-polares ｛1011｝ ou ｛1122｝. Ajustando a proporção do espectro de emissão do plano c no espectro misto, pode-se obter luz branca que cobre a maior parte do espectro visível, com temperatura de cor ajustável de 4.500 a 9.000 K e índice de reprodução de cor de até 91,3.

LED branco de chip único; superfície semi-polar; InGaN; efeito de polarização