Detectores fotoelétricos autossustentáveis podem atender às demandas de dispositivos optoeletrônicos modernos por economia de energia e leveza, mas processos complexos e altos custos limitam seu desenvolvimento futuro. Neste trabalho, foi preparado um heterojunção Se‐MT/PEDOT por spin coating usando tubos microscópicos de selênio (Se‐MT) e politiofeno (PEDOT). O dispositivo apresenta boa resposta fotônica na faixa de 350~700 nm, com responsividade de 8 mA/W (500 nm) sem tensão de polarização. Para melhorar a responsividade, a heterojunção foi modificada com nanofios de prata (Ag‐NW) para preparar Se‐MT/PEDOT/Ag-NW, aumentando a absorção de luz na região ultravioleta-visível e melhorando o desempenho fotoelétrico do dispositivo. Em comparação com dispositivos Se‐MT/PEDOT, a fotocorrente do dispositivo Se‐MT/PEDOT/Ag‐NW aumentou de forma geral na faixa de 350~700 nm, especialmente sob iluminação de 500 nm a 0 V, com responsividade elevada para 65 mA/W (aumento de 800%), relação de comutação aumentada em 400% para 552, e tempos de subida e descida significativamente reduzidos para 15 ms e 28 ms, respectivamente. Esses resultados indicam que o método de modificação de heterojunções orgânico/inorgânicas com Ag‐NW pode ser aplicado na fabricação de detectores fotoelétricos de alto desempenho.

heterojunção;nanofios de prata;autossustentável;detector fotoelétrico