Foi preparado um fotodetector ultravioleta baseado em filme nano CuSCN por método de crescimento in situ. Sob polarização de -1 V e com luz incidente de 350 nm, o fotodetector ultravioleta CuSCN apresentou uma razão de chaveamento de aproximadamente 94, tempo de resposta/recuperação de aproximadamente 1,41 s/1,44 s. Contudo, este dispositivo ainda não pode ser considerado um fotodetector de alto desempenho. Para melhorar ainda mais o desempenho fotoelétrico do filme nano CuSCN, preparamos um fotodetector ultravioleta baseado em filme composto n-ZnS/p-CuSCN e analisamos a morfologia, composição e desempenho das amostras preparadas. Os resultados mostraram que, sob polarização de -1 V e comprimento de onda incidente de 350 nm, o fotodetector ZnS/CuSCN apresenta maior fotocorrente e menor corrente escura do que o fotodetector CuSCN, sendo 1,22×10^-5 A e 4,8×10^-9 A, respectivamente. O fotodetector ultravioleta baseado no filme nano ZnS/CuSCN apresentou uma razão de chaveamento de 2542, tempo de resposta/recuperação de 0,47 s/0,48 s, com melhor responsividade e taxa de detecção a 350 nm, de 5,17 mA/W e 1,32×10^11 Jones, respectivamente. Além disso, o filme composto n-ZnS/p-CuSCN apresenta desempenho estável à temperatura ambiente e tem potencial para ser um fotodetector ultravioleta de alto desempenho.

fotodetector;junção p-n;ZnS/CuSCN;razão de chaveamento