O material In_0.49Ga_0.51P tem recebido ampla atenção em pesquisas sobre lasers de comprimento de onda curto baseados em GaAs e lasers sem alumínio devido ao seu emparelhamento com a rede cristalina do GaAs e sua ampla banda proibida de energia. Diferentes aplicações em diversas áreas apresentam diferentes requisitos para o desempenho do material In_0.49Ga_0.51P, resultando em variações no grau de ordenação do material, o que por sua vez altera suas características de emissão luminosa. Este trabalho utiliza a técnica de deposição química de vapor metalorgânico (MOCVD) para estudar o efeito do grau de ordenação do material In_0.49Ga_0.51P em suas características de emissão luminosa em substrato semi-isolante de GaAs. O grau de ordenação do material In_0.49Ga_0.51P foi alterado por meio do ajuste do fluxo dos dopantes silano (SiH₄) e dietilzinco (DEZn), bem como da razão V/III. Os testes de fotoluminescência (PL) em temperatura ambiente e em baixa temperatura indicaram que o aumento do fluxo dos dois dopantes resulta em redução do grau de ordenação do In_0.49Ga_0.51P, causando um deslocamento para o azul do comprimento de onda de emissão do InGaP. Além disso, o aumento da razão V/III resulta em aumento do grau de ordenação do In_0.49Ga_0.51P, causando um deslocamento para o vermelho do comprimento de onda de emissão da amostra.

deposição química de vapor metalorgânico;fosfeto de índio gálio/arseneto de gálio;fotoluminescência;dopagem intencional