Os diodos emissores de luz orgânicos baseados em silício são uma importante direção de pesquisa no campo de microdisplays. Este artigo foca no nitreto de titânio, material chave na interface entre o ânodo e a camada orgânica em dispositivos microdisplay baseados em silício. Através do estudo das mudanças na morfologia microestrutural da superfície, função de trabalho, concentração de portadores, mobilidade de portadores, refletância e espectroscopia fotoeletrônica de raios X sob diferentes condições de tratamento a plasma, explora-se um método de tratamento superficial para melhorar o desempenho de emissão orgânica. Os resultados mostram que o tratamento a plasma com potência apropriada (O₂: 60 W ou N₂: 80 W) pode aumentar significativamente o brilho dos dispositivos de display baseados em silício (O₂: 70%, N₂: 128%). Além disso, a eficiência de corrente e a eficiência de potência aumentaram 35% e 58%, respectivamente. Ao comparar os parâmetros, acredita-se que as mudanças nos estados de valência dos elementos Ti e N induzidas pelo tratamento a plasma possam aumentar a concentração e a mobilidade dos portadores na interface, otimizando assim o desempenho da emissão. Este estudo detalha um novo método de aprimoramento do desempenho dos dispositivos de display baseados em silício, fornecendo uma direção para pesquisas relacionadas.

tratamento a plasma; OLED baseado em silício; nitreto de titânio; concentração e mobilidade de portadores