A otimização e melhoria dos materiais emissores de luz tem sido um foco importante de pesquisa nas áreas relacionadas. Os defeitos de rede formados durante o processo de crescimento/preparação do cristal estão intimamente ligados à migração de portadores de carga, e a migração dos portadores pode ser controlada por meio da regulação artificial dos defeitos, melhorando assim o desempenho emissor, o que é de grande importância para o desenvolvimento e a aplicação dos materiais emissores. Pesquisas mostram que, dopando íons metálicos de transição ou terras raras em uma estrutura tridimensional específica, os defeitos pontuais resultantes da substituição de cátions não equivalentes podem não apenas promover efetivamente a redução do estado de valência dos íons ativadores multivalentes, mas também cooperar com defeitos intrínsecos para formar níveis funcionais de armadilhas de energia, permitindo o armazenamento de portadores e um equilíbrio dinâmico em resposta a estímulos externos, melhorando as propriedades emissores dos materiais e até trazendo novas características emissoras. Este artigo revisa sistematicamente os mecanismos internos de acoplamento e os métodos de controle entre defeitos pontuais e o desempenho emissor das amostras, com o objetivo de fornecer inspiração significativa para o desenvolvimento e exploração de novos materiais cristalinos funcionais optoeletrônicos.

defeitos de rede; auto-redução; estabilidade térmica; fosforescência de longa duração; luminescência induzida por tensão