Foi preparado um filme espesso β⁃Ga₂O₃ por oxidação térmica em alta temperatura sobre um substrato monocristalino de arseniureto de gálio do tipo p (p⁃GaAs). Foi estudado o efeito do fluxo de O₂ durante o processo de oxidação em alta temperatura na morfologia do filme espesso β⁃Ga₂O₃. Através da análise da qualidade cristalina, características estruturais e propriedades de fotoluminescência do filme, foi observado que o processo de transformação do GaAs em filme espesso β⁃Ga₂O₃ em um ambiente de alta temperatura e alta concentração de oxigênio está relacionado à evaporação segundo o modelo de Langmuir. Quando o fluxo de O₂ é baixo (0,2 L/min), o substrato GaAs está em estado de deficiência de oxigênio, e a amostra preparada apresenta morfologia de nanofios; quando o fluxo de O₂ ultrapassa 0,4 L/min, o substrato GaAs é completamente oxidado para um filme espesso β⁃Ga₂O₃ com estrutura de ilhas nanométricas, e a qualidade cristalina melhora significativamente. O processo de oxidação térmica de monocristal de arseniureto de gálio proposto neste artigo pode obter eficientemente filmes espessos nanostruturados de β⁃Ga₂O₃ com alta qualidade cristalina a baixo custo, o que enriquece muito as aplicações do material β⁃Ga₂O₃.

oxidação térmica; filme espesso com estrutura de ilhas nanométricas; β-Ga₂O₃; fluxo de oxigênio