저선량 X선 이미징은 섬광 물질의 방사선 흡수 능력, 발광 효율, 열 안정성 및 선량 반응 성능에 대한 높은 요구를 가지므로, 종합 성능이 우수한 산화물 섬광체 개발이 중요하다. 그중 희토류 이온 도핑된 석류석 재료는 강직한 결정 뼈대와 우수한 화학적 안정성으로 인해 널리 주목받고 있다. 본 연구에서는 고온 고상법을 이용하여 Lu_1-xTb_xCaMgAl₃Ge₂O₁₂ 계열 석류석 발광 재료를 제조하고 최적 도핑 농도를 탐색하였으며, Tb³⁺ 도핑 농도가 발광 및 X선 응답 특성에 미치는 영향을 체계적으로 연구하였다. 최적 비율의 재료(Lu_0.8CaMgAl₃Ge₂O₁₂：0.2Tb³⁺)는 뚜렷한 녹색 반응을 보이고 423 K에서도 약 90%의 상온 발광 강도를 유지하며, X선 신호 대 잡음비와 선량률은 양의 선형 관계를 나타내며, 검출 한계는 0.41 μGy_air·s^-1로 추정된다. 본 연구는 저선량 X선 검출 후보 물질 개발에 실험적 근거를 제공한다.

석류석; Tb³⁺ 도핑; 농도 소광; X선 여기 발광; 저선량 검출