태양 맹목 자외선 광전 검출기는 대기 오존 흡수를 이용하여 초저 배경 잡음을 실현할 수 있으며, 군사 및 민간 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있습니다. 그러나 기존 검출기는 태양 맹목 자외선 검출 신호가 약하고 응답도가 낮다는 단점이 있습니다. 본 논문에서는 Si를 집전극으로, 산화 갈륨(Ga₂O₃)을 베이스로, 산화 니켈(NiO)을 이미터로 하여 Si 기판 위에 Si/Ga₂O₃/NiO 이종접합 양극성 광전 트랜지스터를 제작하였습니다. X선 회절 및 원자력 현미경 테스트 결과, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 공정으로 Si 기판 위에 제조된 Ga₂O₃ 박막이 다결정 구조이고 표면 평탄도가 우수하며, 외연 성장이 Volmer-Weber 모드를 따르며, RF 자기 구동 스퍼터링으로 Ga₂O₃ 박막 위에 증착된 NiO 박막은 표면이 거친 비정질 상태임을 나타냈습니다. 254 nm, 200 μW/cm² 광조사 하에서 15 V 작동 바이어스에서 장치의 광전 응답도는 4×10³ A/W에 달하며, 외부 양자 효율은 1.9×10⁶ %에 달해 약한 태양 맹목 자외선 신호에 대해 높은 효율의 검출 능력을 갖추고 있습니다. 본 연구는 트랜지스터 고유의 전류 증폭 메커니즘을 이용하여 고성능 Ga₂O₃ 기반 태양 맹목 자외선 광전 검출기 설계 및 제작에 혁신적인 아이디어를 제공합니다.

금속유기화학기상증착;산화 갈륨;태양 맹목 자외선 검출;이종접합 양극성 광전 트랜지스터;실리콘 기판