摘要
CsPbBr3 페로브스카이트 양자점은 좁은 방출, 높은 색순도 및 높은 양자 효율로 인해 QLED에서 매우 유망한 응용 가치를 지닌다. 전통적인 PEDOT:PSS 정공 주입층은 높은 산성도, 거친 형상, 에너지 레벨 불일치 및 전하 운반체 주입 불균형 등의 문제점이 존재하여 장치의 발광 성능을 심각하게 제한한다. 본 논문에서는 PSSNa와 CuBr2, NiBr2, LiBr 금속 브로마이드로 PEDOT:PSS를 이원 협동 도핑하여 박막 형상 조절, 계면 결함의 효과적 둔화, 에너지 레벨 구조 최적화 및 전하 운반체 수송 균형을 실현하였다. 형상 특성 결과는 이원 도핑이 박막의 치밀성을 향상시키고 양자점의 균일한 확산 및 정돈된 배열을 촉진하며 비복사 재결합 손실을 줄이고 정공 주입 장벽을 감소시킴을 보여준다. 장치 성능 테스트 결과, 도핑 후 QLED 장치는 구동 전압이 낮아지고 밝기와 효율이 크게 향상되었으며 NiBr2 도핑 장치가 가장 우수한 성능을 나타내어 최대 외부 양자 효율이 9.78%로 원래 장치의 2.2배에 달하였다. 본 연구는 페로브스카이트 QLED 정공 주입층 개질을 위한 효과적인 경로를 제공한다.
关键词
페로브스카이트 양자점; PEDOT:PSS; 공동 도핑; 정공 주입층
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