반도체의 금지대 폭 또는 밴드갭을 추출하기 위해 다양한 분광 기법이 존재하지만, 대부분은 다음 세 가지 방법 중 하나에 속합니다: (1) 엑시톤 흡수, (2) 변조 분광법, (3) 가장 널리 사용되는 타우크 그림. 엑시톤 흡수는 다중 입자 이론에 기반하며 물리적으로 가장 명확하지만, 결정 품질, 시료 준비 및 실험 수행에 더 높은 요구를 갖습니다. 타우크 그림은 단일 입자 이론에 기반하며 다전자 효과를 무시합니다. 변조 분광법은 외부 교란 하에서 반사 및 투과의 미분 스펙트럼 특성을 분석합니다. 경험적으로 이 세 가지 방법에서 얻은 밴드갭 에너지는 순서대로 E_ex > E_MS > E_TP로, 세 개의 전이 에너지는 각각 엑시톤 흡수, 변조 분광법, 타우크 그림에서 나옵니다. 원칙적으로 E_g를 단일 전자 밴드갭으로 정의하면 E_g > E_ex이므로 E_g > E_TP가 됩니다. 문헌에서는 E_TP를 종종 E_g로 해석하는데, 이는 개념적으로 문제가 있습니다. 그러나 많은 경우 엑시톤 흡수 피크를 관측하기 어려워 E_g와 E_TP 간 불일치 문제를 인지하지 못합니다. 이 짧은 리뷰는 실제 시료 예제를 사용하여 (1) 엑시톤 흡수 특징이 시료 및 측정 조건에 어떻게 의존하는지 설명하고; (2) 동시에 추출할 수 있을 때 E_ex, E_MS, E_TP 간의 차이를 보여주며; (3) 널리 채택된 타우크 그림이 어떻게 오해의 소지가 있는 결과를 초래할 수 있는지 시연합니다. 마지막으로 엑시톤 흡수 피크를 관측할 수 없다면, 변조 분광법이 타우크 그림보다 더 유용하고 합리적인 밴드갭을 제공할 수 있음을 지적합니다.

반도체 재료;금지대 폭;엑시톤 흡수;변조 분광법;타우크 그림