페로브스카이트 양자점 발광 다이오드(Pe QLEDs)는 차세대 디스플레이 기술의 매우 유망한 후보로 부상했습니다. 그러나 그 성능은 전자 수송층(ETL)에 의한 양자점(QD) 형광 소광 및 과도한 전자 주입에 의해 여전히 제한됩니다. 여기서 발광층과 BPBiPA(2-페닐-1-(4-(10-(4-(2-페닐-3a,7a-디하이드로-1H-벤조[d]이미다졸-1-일)페닐)안트라센-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸) 전자 수송층 사이에 TmPPPyTz(2,4,6-트리스(3'-(피리딘-3-일)-[1,1'-비페닐]-3-일)-1,3,5-트리아진)를 삽입하는 인터페이스 엔지니어링 전략을 제안하여 인터페이스 소광을 억제하고, 전하 운반체 균형을 조절하며, 발광층 인터페이스를 패시베이션 하는 역할을 합니다. 광학 및 전기적 특성에 대한 포괄적인 분석을 수행하였고, 최적화된 소자는 최대 외부 양자 효율(EQE) 28.1%와 작동 안정성이 1.7배 향상되었습니다. 이 연구는 고효율 및 안정적인 Pe QLEDs 구현을 위한 효과적인 인터페이스 엔지니어링 방법을 제공합니다.

페로브스카이트 양자점 발광 다이오드; 인터페이스 엔지니어링; 형광 소광