摘要
NiOx는 양자점 발광 다이오드(QLED)에서 주목받는 무기 정공 주입층(HIL) 재료로서, 기존의 제조 방법은 여전히 높은 비용과 복잡한 공정 등의 문제에 직면해 있다. 본 논문에서는 열 주입법을 사용하여 단일 분산되고 고결정성인 NiOx 나노결정(평균 입자 크기 약 5.5 nm)을 합성하였으며, 이 방법은 용액법의 저비용성과 고온 어닐링이 불필요한 장점을 겸비한다. 또한 NiOx HIL과 정공 수송층 계면에 (2-(9H-카바졸-9-일) 에틸) 인산 2PACz 분자층을 도입하여 용매 침식을 효과적으로 억제하고 표면 수산기 결함 농도를 6.3% 감소시켰다. 이 복합 HIL을 기반으로 제작된 적색 QLED는 구동 전압이 6.1 V에서 5.8 V로 감소하였고, 외부 양자 효율은 5.24%에서 7.34%로 향상되었으며, 수명도 73% 증가하였다. 본 연구는 전무기 QLED를 위한 간단하고 저비용의 NiOx 기반 HIL 제조 신방법을 제공한다.
关键词
양자점 발광 다이오드;열 주입법;산화 니켈;무기 정공 주입층
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