녹색광 레이저 다이오드는 "녹색간극" 문제를 가지고 있는데, 이는 녹색광 범위 내 장치의 광전 변환 효율이 낮은 현상이며, 주요 원인은 고품질 양자우물 활성 영역의 제조가 어렵기 때문입니다. 본문에서는 InGaN/AlGaN/GaN 양자우물 활성 영역의 새로운 구조를 설계하고 성장하였습니다. AlGaN 덮개 층의 보호 효과로 인해 다중 양자우물 표면 형상이 뚜렷이 개선되었고, 제곱평균근 거칠기가 0.5nm까지 낮은 황광 다중 양자우물 활성 영역을 성공적으로 제조하였습니다. 해당 활성 영역을 기반으로 520nm 발광 파장을 가진 InGaN/AlGaN/GaN 양자우물 녹색광 레이저 다이오드를 제작하였으며, 2A 전류에서 경사 효율은 0.36W/A에 도달하고 출력 광 출력은 180mW에 달합니다.

MOCVD;GaN;레이저 다이오드;AlGaN 덮개 층