B 위치 금속 도핑은 납 할라이드 페로브스카이트의 점 결함 및 결정립 경계 결함 억제 가능성이 있지만, 도핑 이온과 모체 이온 간의 이온 반경 차이로 인해 현저한 국부 변형이 발생하여 박막 내 결정립 크기가 심각하게 제한된다. 본 논문에서는 Co 도핑 MAPbI₃에 FA를 도입하여 국부 변형을 완화하고 MAPbI₃ 박막의 품질을 향상시켰다. 실험 및 이론 연구는 Co 도핑이 현저한 국부 인장 변형을 유도하며, FA 도핑이 해당 변형을 효과적으로 완화함을 보여준다. 추가 연구는 FA 도핑이 Co 도핑 MAPbI₃ 박막의 결정립 경계 결함을 동시에 감소시키고 페르미 수준을 조절하여 비복사 재결합을 효과적으로 억제하며 MAPbI₃/ITO 계면에서 캐리어 전달을 개선함을 나타낸다. 위 결과를 바탕으로 본 논문은 고효율 무전달층 MAPbI₃/ITO 광전 탐지기를 제작하였으며, 제로 바이어스에서 응답도와 외부 양자 효율(EQE)은 각각 0.094 A/W 및 28%에 달한다. 본 연구는 고효율 무전달층 페로브스카이트 광전 탐지기 구현을 위한 효과적인 경로를 제공한다.

Co 도핑; Co-FA 공동 도핑; 변형 완화; 고효율 광전 탐지; MAPbI₃/ITO