에르븀 도핑 광섬유 증폭기(EDFA)는 대용량 전송을 위한 전광 네트워크의 핵심 장치로, 고출력 단일 모드 반도체 레이저 펌핑을 통해 광 신호 증폭이 필요합니다. 본 논문에서는 비대칭 브래그 반사 도파로 에피택셜 구조를 채택한 고출력 976 nm 단일 모드 반도체 레이저 칩을 개발하여 매우 낮은 발산 각도와 근원형 광빔 출력을 실현하였습니다. 제작된 레이저는 열 포화 제한 하에 최대 연속출력 1.5 W를 초과하였으며, 1.2 A 전류에서 0.83 W의 비비틀림 출력을 얻었고, 이때 95% 출력 포함 수직 및 측면 발산각은 각각 13.70°와 10.95°였으며, 출력 레이저 피크 파장은 976.16 nm, -3 dB 스펙트럼 폭은 0.11 nm에 불과하고, 측면 모드 억제비는 40 dB에 달했습니다. 레이저 원거리지분포는 히트 싱크 온도 및 작동 전류 변화에 둔감하여, 열 포화 조건에서도 95% 출력 포함 수직 발산각은 16° 이하였습니다. 이 레이저 칩은 고효율 단일 모드 광섬유 결합을 가능하게 하여 저비용 고출력 단일 모드 EDFA 레이저 펌프 모듈 개발에 유리합니다.

브래그 반사 도파로;단일 모드 반도체 레이저;고출력;낮은 원거리 발산각;광섬유 결합