고반사율의 AlGaN 기반 나노다공성 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg reflector, DBR)는 자외선 영역 공진기 발광다이오드(RCLED)와 수직공진면발광레이저(VCSEL)의 고품질 공진기를 구축하는 이상적인 후보입니다. 본 논문에서는 금속유기화학기상증착법을 사용하여 c면 사파이어 기판 위에 20.5주기의 n/n⁺-Al₀.₆Ga₀.₄N 층 적층 구조를 제작하였으며, n⁺-Al₀.₆Ga₀.₄N 층의 Si 도핑 전략과 전기화학 부식 바이어스가 나노다공성 DBR의 형태 및 반사 스펙트럼에 미치는 영향을 체계적으로 논의하였습니다. 기존의 고정 도핑 방식과 비교했을 때, Si 농도 구배식 점증 도핑 설계는 각 층의 n⁺-Al₀.₆Ga₀.₄N 전기화학 부식 속도 차이를 완화하여 나노 채널의 직경 및 기공률 일치를 현저히 개선함으로써 나노다공성 DBR의 반사율을 향상시킵니다. 전기화학 부식 바이어스를 33 V로 최적화했을 때, Al₀.₆Ga₀.₄N 기반 나노다공성 DBR는 목표 파장 310 nm에서 반사율 93.7%에 도달하였으며, 차단 대역폭은 36 nm였습니다; 다중 양자우물의 광발광 강도는 110% 증가하였습니다. 이 결과는 자외선 대역 전기 주입 RCLED 및 VCSEL 소자 구현에 중요한 참고 자료가 될 것입니다.

AlGaN 기반 DBR; 전기화학 부식; 농도 구배 도핑; 기공률; 반사 스펙트럼; 차단 대역폭