Eu²⁺는 넓은 청광 대역에 의해 여기될 수 있으며, 넓은 파장 방출 특성을 나타낸다. Eu²⁺ 이온은 결정장 환경의 영향을 크게 받기 때문에 적합한 기질을 선택하거나 기질 조성을 조절함으로써 Eu²⁺의 발광 성능을 조절할 수 있으며, 여기 대역이 청광 칩의 방출과 높게 일치하여 상용 백색 LED의 붉은 스펙트럼 결손을 보완하고 백색 LED의 조명 품질을 향상시킨다. 본 연구에서는 갈산염 Ca₅Ga₆O₁₄를 기질로 사용하여 고온 고상법으로 Eu²⁺ 도핑 붉은 형광체를 합성하였으며, 기질 내 Ga³⁺ 이온을 Al³⁺ 이온으로 대체하는 조절 전략을 통해 발광 성능을 최적화하였고, 양자 효율은 79.2%에 달하며 423K 온도에서 발광 강도는 실온 시의 60%에 도달하였다. Ca₅Ga_5.8Al_0.2O₁₄:0.01Eu²⁺ 붉은 형광체를 상용 황녹색 형광체 Y₃(Al, Ga)₅O₁₂:Ce³⁺ 및 청광 칩과 통합하였으며, 생성된 백색 LED 장치의 연색 지수는 95.5, 관련 색온도는 4002K이다. 이는 해당 재료가 따뜻한 백색 LED 분야에서 일정한 응용 가능성을 가짐을 나타낸다.

Eu²⁺; 붉은 형광체; 산화물; 백색 발광 다이오드