상향 발광 양자점 발광 다이오드(Quantum dot light-emitting diode, QLED)는 더 높은 픽셀 개구율을 가지며 디스플레이 기술에서 중요한 응용 가치를 가지고 있다. 본 논문에서는 먼저 Al/Ag 반투명 양극을 설계하였고, 제작된 역방향 상향 발광 소자의 최대 외부 양자 효율(EQE_max)과 최대 전류 효율(CE_max)은 각각 25.0%와 54.1 cd/A에 도달하여 순수 Ag 양극 소자에 비해 각각 22.5%와 27.2% 향상되었다. 연구 결과 Al/Ag가 정공 주입 능력을 향상시켜 전하 주입 균형에 유리함을 확인하였다. 다음으로 상향 발광 마이크로 캐비티 효과가 소자의 발광 성능에 미치는 영향을 연구하였고, 전극 두께와 소자 캐비티 길이가 소자의 성능을 조절하는 역할을 하는 것을 발견하였으며, Ag와 ZnMgO가 각각 27nm와 65nm일 때 소자 성능이 최적임을 확인하였다. 마지막으로 마이크로 캐비티가 엑시톤 재결합에 미치는 영향을 탐구하였으며, Purcell 효과가 엑시톤의 복사 재결합을 가속화할 수 있음을 발견하였다.

상향 발광 QLED;Al/Ag 반투명 전극;역방향 발광 소자