에틸렌글리콜(EG)을 물 대신 Langmuir-Blodgett(LB) 기술의 하상으로 채택하여 고품질 양자점 필름을 제작함으로써 기존 LB 공정에서 수상 접촉으로 인한 양자점 성능 저하 및 디바이스 누설 전류 문제를 해결하였다. LB 박막 형성 매개변수를 최적화하여 균일하고 치밀한 단일 양자점 막을 얻었으며 이를 발광층으로 사용하여 적색 QLED 디바이스를 제작하였다. EG 하상을 사용함으로써 수분 잔류물이 양자점 디바이스 성능에 미치는 부정적 영향을 효과적으로 회피하였고, 최적화된 LB 박막은 디바이스의 누설 전류를 효과적으로 억제하여 우수한 전기발광 성능을 보였다: 630 nm에서 반치폭 22 nm의 적색 광 발광, 최대 외부 양자 효율 26.1%, 초기 휘도 1,000 cd·m^-2에서 T₉₅ 수명이 3,272시간으로 기존 수상 LB 디바이스 및 스핀코팅 디바이스보다 훨씬 우수하다. 연구 결과 EG 하상의 LB 기술은 계면 결함 및 누설 전류 억제를 통해 고효율, 장수명 양자점 디스플레이 디바이스 구현에 실용적인 공정 경로를 제공함을 보여준다.

양자점 발광 다이오드(QLEDs); 랑뮈르-블로제트 기술; 단일 양자점