양자점 발광 다이오드(Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs)는 높은 색순도, 넓은 색역, 용액 가공 호환성 등의 장점을 가지고 있으며 차세대 고해상도 디스플레이 기술의 중요한 발전 방향으로 여겨지고 있습니다. 그러나 양자점(Quantum dots, QDs)의 광학 성능을 손상시키지 않으면서 고해상도 패터닝을 구현하는 것은 실제 적용으로 나아가기 위한 핵심 기술 병목 현상입니다. 본 논문에서는 고해상도 QLEDs 제조에서의 패터닝 문제를 해결하기 위해 나노임프린트와 열 조절 전사에 기반한 새로운 패터닝 공정을 제안합니다. 이 방법은 실리콘 템플릿을 활용해 폴리비닐 부티랄(PVB) 표면에 벌집 모양의 미세구조를 압인하고 용액의 젖음성을 제어하여 양자점을 선택적으로 채우며, 열 조절 전사 과정을 통해 특징 치수가 1.5 µm에 달하고 해상도가 9,072 픽셀 per inch (PPI)인 높은 균일성의 양자점 배열을 제조할 수 있습니다. 더 높은 해상도의 템플릿을 사용하여 최대 25,400 PPI 픽셀 밀도의 양자점 배열도 구현했습니다. 나아가, 홀 전달층(Hole transport layer, HTL) 위에 양자점 배열을 제작하여 최대 외부 양자 효율(EQE)이 10.91%, 최대 밝기가 164,421 cd/m²인 고해상도 적색 QLEDs 소자(9,072 PPI)를 성공적으로 제작했습니다. 본 연구는 고해상도 QLEDs 제조를 위한 안정적이고 재현 가능한 새로운 패터닝 경로를 제시합니다.

양자점 발광 다이오드 (QLEDs); 고해상도; 나노임프린트; 열 조절 전사