전 세계 시장 경제가 번창하고 기술이 끊임없이 혁신되는 가운데, 점점 만연해지는 위조품 문제에 대응하기 위한 효율적인 위조 방지 기술 체계 구축은 재료 과학 및 정보 보안 분야의 핵심 연구 방향이 되었다. 전통적인 단일 모드 광학 암호화는 단일 자극 방식에서 단색 발광만을 생성할 수 있어 위조 방지 기능이 복제하기 쉬운 한계가 있다. 광학 정보 암호화는 고차원 위조 방지를 실현하는 핵심 기술 경로이며, 다중 모드 광학 암호화는 다중 파장대 빛 방출 특성을 바탕으로 높은 보안성, 은폐성 및 신뢰성을 갖춘 위조 방지 응용에 혁신적인 경로를 제공한다. 본 연구에서는 고온 고상법을 사용하여 BaSi₂O₅∶Eu³⁺, Tb³⁺ 결정을 성공적으로 제조하고 PL, XRD, SEM 등 표면 특성화 기술을 활용하여 광학 및 구조 특성을 체계적으로 연구하였다. XRD 분석을 통해 재료의 성공적인 합성이 확인되었다. 또한 분광학적 특성 분석을 통해 재료의 발광 성능을 탐구하였다. 마지막으로, 이 재료를 이진 코드화하여 위조 방지 분야에 적용하였다. 결과는 설계된 형광 분말이 377 nm 및 395 nm 자극 하에 각각 강렬한 주황-yellow 및 주홍색 발광을 보여 다중 모드 광학 암호화 성능 요구 사항을 충족함을 나타냈다. 아울러 발광 다이오드를 사용하여 377 nm 및 395 nm 자극 파장을 가지는 신형 이중 모드 자극 인식 장치를 설계하여 효율적인 이중 모드 광학 위조 방지 기능을 구현하였으며, 위조 방지 기술 발전을 위한 새로운 기술적方案과 이론적 근거를 제공하였다.

희토류 발광; 에너지 전달; 이중 모드 광학 위조 방지; 정보 암호화