표준 속도 방정식을 기반으로 InGaN/GaN 단일 양자우물 발광 다이오드의 회로 모델이 제안되었다. 이 모델은 두 개의 속도 방정식을 통해 절연 제한 헤테로접합과 양자우물 내에서의 전하 운반체 수송 과정을 각각 설명하며, 세 번째 속도 방정식은 양자우물 내 광자의 동적 특성을 설명한다. 수립된 모델을 활용하여 양자우물 두께가 소자의 정적 및 동적 특성에 미치는 영향을 체계적으로 연구하였다. 시뮬레이션 결과에 따르면 4 nm 양자우물 폭을 가진 LED는 더 우수한 광출력-전류 특성을 나타내고, 3 nm 양자우물 폭을 가진 LED는 더 넓은 3 dB 변조 대역폭을 가지며, 이는 양자우물 내 높은 전하 운반체 밀도가 정적 성능에는 불리하지만 동적 성능을 효과적으로 향상시킨다는 것을 동시에 보여준다.

단일 양자우물;속도 방정식;회로 모델;광출력-전류 특성;변조 대역폭