양자점 발광 다이오드(QLED)는 차세대 디스플레이 기술의 중요한 발전 방향으로, 전자 수송층(ETL)은 일반적으로 아연 산화물(ZnO) 재료를 사용합니다. 그러나 ZnO의 지나치게 높은 전자 이동도는 발광층(EML) 내 하전자 주입 불균형을 초래하며, 표면 산소 공공 결함이 비방사성 재결합을 유발합니다. 본 연구는 육방 질화 붕소(h-BN)라는 전형적인 2차원 소재를 혁신적으로 도입하여 EML과 ZnO 계면 사이에 전자 차단층을 형성하였습니다. 실험 결과 h-BN 도입은 소자 내부 하전자 균형을 효과적으로 개선하였고, ZnO 결함으로 인한 발광 소멸을 현저히 억제하였습니다. h-BN 계면 개질 후 QLED 소자의 외부 양자 효율(EQE)과 전류 효율(CE)은 각각 17.31% 및 18.80 cd/A에 도달하여 기준 소자 대비 12.4%와 7.43% 향상되었습니다. 본 연구는 2차원 소재가 QLED 소자에 가지는 혁신적 응용 가치를 밝히고, 디스플레이 기술 분야에서의 심도 있는 개발을 위한 새로운 연구 방향을 제시합니다.

QLED;육방 질화 붕소;전자 차단층;하전자 주입 균형;계면 개질