양자점 발광 다이오드(QLED, Quantum Dot Light-Emitting Diodes)는 저전력 소비, 높은 색 순도 및 넓은 색 영역의 장점으로 차세대 자발광 디스플레이 기술로 자리잡았습니다. 현재 고효율 QLED는 주로 CdSe 또는 Pb 함유 페로브스카이트 양자점에 의존하고 있으며, 중금속에 따른 환경 위험이 산업화 발전을 제한하고 있습니다. 이에 무카드뮴, 무납 친환경 양자점 소재가 QLED 대규모 상용화를 추진하는 핵심 대체안으로 부각되고 있습니다. 다수 후보 시스템 중 ZnSeTe 양자점은 우수한 발광 성능과 독특한 밴드 조절 메커니즘으로 450nm 블루광에서 700nm 레드광까지 넓은 범위의 연속 발광이 가능하여 가장 유망한 단일계 친환경 전색 발광 소재입니다. 그럼에도 ZnSeTe 시스템은 높은 Te 함량에 따른 격자 변형, 계면 결함 및 소자 전하 전달 불균형 등의 기술적 과제에 직면해 있습니다. 본 논문은 ZnSeTe 양자점의 합성 및 QLED 적용 최신 동향을 체계적으로 정리했으며, 청, 녹, 적 3원색 발광 최적화 전략을 중심으로 조성 공정, 껍질 공정 및 표면 공정의 작용 메커니즘 및 최신 성과를 분석하고, 안정성, 대량 합성 및 소자 효율 향상의 미래 발전 방향을 전망합니다.

친환경 양자점;QLED;ZnSeTe;발광 성능