양자점 발광 다이오드(Quantum dot light-emitting diodes, QLED)는 낮은 전력 소비, 높은 색 순도 및 넓은 색 영역의 장점으로 새로운 자발광 디스플레이 기술로 부상했습니다. 현재 고효율 QLED는 주로 CdSe 또는 Pb가 함유된 페로브스카이트 양자점에 의존하고 있으며, 중금속으로 인한 환경 위험이 산업화 발전을 제한하고 있습니다. 따라서 무카드뮴 무납 환경친화적 양자점 재료가 QLED 대규모 상업화를 촉진하는 핵심 대체 솔루션이 되었습니다. 수많은 후보 시스템 중에서 ZnSeTe 양자점은 우수한 발광 성능과 독특한 밴드 조절 메커니즘을 바탕으로 450 nm 청색광부터 700 nm 적색광까지 넓은 범위의 연속 발광을 구현할 수 있어 가장 잠재력 있는 단일 시스템 환경 친화적 전색 발광 재료입니다. 그럼에도 불구하고 ZnSeTe 시스템은 높은 Te 함량으로 인한 격자 변형, 계면 결함 및 장치 전하 전달 불균형과 같은 기술적 과제에 직면해 있습니다. 본 논문은 ZnSeTe 양자점의 합성과 QLED 적용 최신 연구를 체계적으로 리뷰하며, 청색, 녹색, 적색 3원색 발광 최적화 전략에 중점을 두고 조성 공학, 쉘 공학 및 표면 공학의 작용 기전과 최신 성과를 분석하고, 안정성, 대량 합성 및 장치 효율성 측면에서 향후 발전 방향을 전망합니다.

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