근적외선 형광성형 발광 다이오드(NIR pc-LED)는 응용 가능성이 높은 소형 근적외선 광원이나, 장파장 광대역 근적외선 형광 분말의 부족으로 인해 발전이 제한되고 있습니다. 본 연구에서는 고온 고상법을 사용하여 Hf_1-xTe₃O₈(HTO)∶xCr³⁺(x=0~0.15) 장파장 광대역 근적외선 형광 분말을 일련의 합성하고 그 결정 구조와 발광 성능을 분석하였습니다. 연구 결과, 450 nm 청색광 여기 시 HTO∶Cr³⁺ 근적외선 형광 분말이 865 nm에서 주요 발광 피크와 반치폭 167 nm(2 149 cm^-1)를 가지는 장파장 광대역 근적외선 광을 나타냄을 보여주었습니다. 결정장 세기 계산 결과, 이 장파장 광대역 근적외선 광원은 약한 결정장(D_q/B=1.97)을 차지하는 Cr³⁺가 단일 Hf⁴⁺ 결정학적 격위를 점유함을 나타냅니다. 또한 최적화된 HTO∶Cr³⁺ 근적외선 형광 분말과 청색 LED 칩을 이용하여 NIR pc-LED 소자를 제작하였고, 다양한 상황에서의 응용 실험을 통해 해당 분말이 야간 투시, 생의학 이미징 등 분야에서 일정한 응용 가치를 지님을 증명하였습니다.

Cr³⁺ 도핑;HfTe₃O₈;근적외선 형광 분말;광대역;단일 격위 점유