AAO 템플릿 위에 펄스 레이저 증착법으로 성장된 β-Ga2O3 나노포어의 구조 및 광전 특성

GE Xuehao ,  

JIANG Kai ,  

WANG Xianghu ,  

摘要

산화 갈륨의 넓은 밴드갭 특성은 일광 차단형 자외선 광전 탐지기 제작에 매우 적합합니다. 박막 기반의 자외선 광전 탐지기는 응답도가 종종 낮습니다. 그러나 높은 비표면적과 높은 결정 품질로 인한 높은 안정성 덕분에 나노재료는 장치 응용에서 우수한 광전 성능을 보입니다. 본 논문에서는 펄스 레이저 증착법(PLD)을 통해 이중 통로가 정렬된 다공성 AAO 템플릿 위에 β-Ga2O3 나노포어를 성공적으로 증착하였습니다. 다공성 AAO 템플릿을 나노재료의 성장 공간으로 활용하여 산화 갈륨 재료를 템플릿의 기공에 채워 나노튜브 구조를 형성하였습니다. 제조 공정을 최적화하여 산화 갈륨 나노튜브의 성능과 성장 시간 간의 관계를 심도 있게 연구하여 탐지기의 응답도를 향상시켰습니다.

关键词

β-Ga2O3 나노포어; AAO 템플릿; 펄스 레이저 증착; 넓은 밴드갭 반도체 재료

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