준이차원 페로브스카이트는 다중 양자 우물 구조, 우수한 박막 표면 형태 및 높은 발광 양자 효율로 인해 고효율 페로브스카이트 발광 다이오드(PeLEDs) 제작에 사용되며, 디스플레이 및 조명 분야에서 광범위한 응용 가능성을 가지고 있습니다. 준이차원 페로브스카이트 내 다수의 작은 n 상으로 인한 비복사 재결합 때문에 청광 PeLED는 에너지 전달 효율이 낮고 발광 스펙트럼이 불안정한 문제에 직면해 있으며, 성능은 아직 적광 및 녹광 소자에 못 미칩니다. 본 논문에서는 정공 수송층에 폴리(4-스타이렌설포네이트 나트륨)와 세슘염화물을 도입하여 페로브스카이트의 핵형성과 성장 과정을 조절하고 상 분포를 조절하여 페로브스카이트 내 소형 n 상 성분을 효과적으로 억제하고 에너지 전달 효율을 향상시키며, 함정 밀도를 감소시켜 비복사 재결합을 현저히 억제하였습니다. 또한, 염소 이온이 페로브스카이트 층으로 확산되어 이온 교환을 통해 페로브스카이트 박막의 청광 방출을 조절하였습니다. 최적화된 청광 PeLED 소자는 488 nm에서 발광 스펙트럼을 가지며 최대 휘도는 2772 cd/m², 최대 외부 양자 효율은 4.9%에 달합니다. 본 연구는 고효율 및 스펙트럼 안정화된 청광 PeLED 구현을 위한 효과적인 방법을 제공합니다.

청광 페로브스카이트 발광 다이오드; 준이차원 페로브스카이트; 상 분포 조절; 정공 수송층