CsPbBr₃ 양자점(QDs)은 높은 광발광 양자 수율과 좁은 발광 특성으로 인해 QLED 분야에서 큰 잠재력을 보여줍니다. CsPbBr₃ QDs 표면에는 다수의 Br 공공(V_Br)과 배위되지 않은 Pb²⁺가 존재하여 에너지 밴드에 트랩 상태를 도입하고, 비복사 재결합을 촉진하여 소자의 효율을 저하시킵니다. 본 논문에서는 DDAB와 DOTA의 공동 패시베이션 전략을 채택하여 협동 작용을 통해 표면 V_Br를 효과적으로 메우고 노출된 Pb²⁺와 배위하여 표면 결함을 줄이고 양자점의 발광 성능을 향상시켰습니다. TEM, XRD, FT-IR 등의 분석을 통해 해당 패시베이션 전략으로 처리된 양자점의 광발광 양자 수율(PLQY)이 99.65%로 향상되고, 내열성과 박막 형성성이 개선됨을 확인하였습니다. 제작된 QLED 소자는 최대 밝기 8000 cd·m^-2에 도달하였고, 최고 외부 양자 효율(EQE)은 5.29%로 패시베이션하지 않은 양자점 QLED 소자의 1.48배에 달합니다.

페로브스카이트; 양자점; 공동 패시베이션; 표면 결함