摘要
CuInSe2（CISe）양자 점은 좁은 직접 갭, 큰 순자 보어 반경 및 넓은 발광 대역폭과 같은 특성 때문에 근적외선 생물 표지 분야에서 독특한 우위를 보여줍니다. 그러나 전통적인 조성 제어 및 Zn2+ 도핑과 같은 전략은 종종 발광을 푸른 방향으로 이끌며 현재 CISe 양자 점 프로브는 대부분 자외선-가시광 자극이 사용되어 있으며 이는 무시할 수 없는 조직 산란과 열 손상을 크게 제한합니다. 그러므로 근적외선 자극/발광의 CISe 양자 점 프로브를 개발하는 것은 중요한 응용 가치가 있습니다. 따라서 우리는 크기 제한 효과를 기반으로 CISe의 발광을 조절하였으며, CISe 양자 점 크기（2.6〜7.3 nm）를 정밀하게 제어함으로써 근적외선 자극에서 900〜1,205 nm의 매우 넓은 범위에서 발광 피크 위치의 연속 조절을 실현했습니다. 안정적인 근적외선 발광과 우수한 생물 안전성을 바탕으로 우리는 독특한 CISe 양자 점@Cr3+ 나노 클러스터 프로브를 개발하여 아데닌 트리포스파트（ATP） 분자의 고민감한 균일 감지를 실현했습니다. 감지 한계는 45.8 nmol/L로 낮아졌습니다. 또한 우리는 ATP 표적 종양 세포 근적외선 영상화도 실현하여 근적외선 생물 이미징 및 질병 진단 치료 분야에서 CISe 양자 점의 우수한 응용 잠재력을 시연했습니다.
关键词
구리 인듐 셀레늄; 양자 점; 근적외선 발광; 나노 프로브; 아데닌 트리포스파트