투명 OLED는 양면 발광 특성을 가지며, 헤드업 디스플레이 및 웨어러블 기기 등 분야에서 넓은 응용 가능성을 지닌다. 본 논문에서는 먼저 Mg∶Ag 투명 전극을 설계하였으며, 박막 두께를 줄이고 Mg의 Ag 내 도핑 비율을 조절하여 투과율을 향상시켰다. Mg∶Ag 박막 두께가 14 nm이고 도핑 비율이 1∶1일 때 전극 투과율이 60%에 달하며, 정위치 OLED 소자에서 최적의 종합 성능을 나타냈다. 이어서 최적화된 Mg∶Ag 투명 전극과 함께 역위치 소자에서 정공 및 전자 수송층을 최적화하였다. 마지막으로 역위치 소자에서 Mg∶Ag 음극 외측에 BCP 광추출층을 증착하여 소자 성능을 더욱 향상시켰다. 결과는 두께 60 nm이며 Bphen∶Cs₂CO₃ 도핑 비율이 1∶1인 N형 전자 주입층과 두께 40 nm의 HAT-CN 정공 주입층, 50 nm BCP 광추출층을 사용했을 때 OLED 소자의 점등 전압이 2.4 V로 낮아지고 최대 전류 효율이 43.1 cd·A⁻¹에 도달하며, 10 mA·cm⁻² 전류 밀도 구동 시 OLED 소자 양측의 발광 휘도는 각각 2237 cd·m⁻²와 1844 cd·m⁻²이고, 양측 발광 강도 비율은 45%∶55%, 소자는 530 nm에서 투과율이 82.0%에 달했다.

투명 OLED; 투명 금속 전극; 역위치 발광 소자