투명 OLED는 양면 광출력 특성을 가지며, 헤드업 디스플레이 및 웨어러블 기기 등 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있다. 본 논문에서는 먼저 Mg∶Ag 투명 전극을 설계하였으며, 박막 두께를 줄이고 Mg가 Ag에 도핑되는 비율을 조절하여 투과도를 향상시켰다. Mg∶Ag 박막 두께가 14 nm이고 도핑 비율이 1∶1일 때 전극의 투과율이 60%에 달했으며, 정위 OLED 소자에서 최적의 종합 성능을 나타냈음을 발견하였다. 이후 최적화된 Mg∶Ag 투명 전극과 결합하여 역위 소자에서 정공 및 전자 수송층을 최적화하였다. 마지막으로 역위 소자에서 Mg∶Ag 음극 외측에 BCP 광추출층을 증착하여 소자의 성능을 더욱 향상시켰다. 결과에 따르면, 두께 60 nm이고 Bphen∶Cs₂CO₃ 도핑 비율이 1∶1인 N형 전자 주입층과 두께 40 nm인 HAT-CN 정공 주입층, 50 nm BCP 광추출층을 사용할 때 OLED 소자의 점등 전압이 2.4 V로 낮아지고, 소자의 최대 전류 효율은 43.1 cd·A^-1이며, 10 mA·cm^-2 전류 밀도 구동 시 OLED 소자 양면의 발광 밝기는 각각 2,237 cd·m^-2와 1,844 cd·m^-2이며, 양측 발광 강도 비율은 45% 대 55%, 530 nm에서 투광율은 82.0%에 달했다.

투명 OLED; 투명 금속 전극; 역위 발광 소자