摘要
반도체 증폭 칩은 외부 공진기 반도체 레이저(ECSL)의 능동 매질로서, 출력, 편광 의존성 및 선폭 확산 인자 등의 특성이 레이저의 핵심 성능을 직접 결정합니다. 반도체 증폭 칩의 편광 제거비를 향상시키고 레이저 내 모드 경쟁으로 인한 잡음을 줄이기 위해, 본 논문에서는 양자우물 두께 및 양자우물 압력(스트레인)이 횡전기(TE) 및 횡자기(TM) 모드 재료 이득에 미치는 영향을 연구하고, 동시에 능동 영역 길이가 증폭 칩 출력 및 자발 방사 스펙트럼에 미치는 영향을 조사하였습니다. InGaAs/AlGaAs 양자우물에 압축 변형을 도입함으로써 TE 및 TM 모드 간 재료 이득 차이를 향상시켜 명확한 편광 특성을 갖는 850nm 파장대 반도체 증폭 칩을 구현하였으며, 최대 편광 제거비는 9.58dB, 최대 자발 방사 스펙트럼 대역폭은 28.72nm, 최대 출력은 28.53mW였습니다. 본 연구는 양자 정밀 측정, 코히런트 레이저 레이더 및 코히런트 광통신 등 분야에서 요구되는 좁은 선폭 및 선형 편광 레이저를 위한 뛰어난 편광 특성을 가진 능동 증폭 매질을 제공합니다.
关键词
증폭 칩;외부 공진기 반도체 레이저;양자우물;편광 제거비;선형 편광
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