비중금속 성분이 없어서 생체적합성과 환경 친화적인 면에서 기존 산화인디움동(CdSe) 및 납(PbS) 양자점에 비해 더 우수한 특성을 보이지만, 현실적인 응용에는 양자점의 발광 양자수율(PLQY)이 낮고 안정성이 떨어진다. ZnS 쉘 코팅은 CIS QDs의 PLQY와 안정성을 향상시킬 수 있지만, CIS/ZnS QDs는 PL 피크가 CIS QDs에 비해 상당한 정체파 이동을 가지고 있고, CIS/ZnS 코어-셸 구조는 계면합금화로 인해 도체 발광기기(QLED)의 EL 피크가 PL 피크에 비해 상당한 정체파 이동이 존재한다. 본 연구는 CIS/ZnS QDs의 PL이 CIS QDs에 비해 높은 정체파 이동을 엄격한 쉘 구조 합성 방법과 함께 낮추는 방법을 제시하였다. 우리는 50% Al/Zn비율의 이소프로필알루미늄(Al (IPA)3)을 첨가하여 CIS/Al-ZnS(CIS/AZS) 엄격한 코어-셸 구조 양자점을 성공적으로 합성하였으며, QLED 장치의 EL이 PL에 비해 정체파 이동을 줄이고 캐리어 주입을 균형있게하였다. 실험 결과, CIS/AZS QLED의 EL 피크는 7nm(963nm에서 발광)로 정체파 이동이 감소되었으며, 최대 외부 양자 효율은 2.61%, 장치 수명이 80% 향상되었다. 이 연구는 CIS/ZnS 체계의 EL이 PL에 비해 높은 정체파 이동 문제를 해결하는 해결책을 제시하였으며, 가치 있는 근적외선 영역의 광을 잃지 않도록 장치를 유지하는 방안을 제시하였다.

CIS/ZnS 양자점; 전기발광장치; Al 첨가; 근적외선