고휘도 1,060 nm HiBBEE 원뿔형 반도체 레이저

LIU Xiang ,  

WU Chengkun ,  

XUE Xiaoe ,  

MIAH Md Jarez ,  

WANG Lijie ,  

SU Jiaxin ,  

GAO Xiang ,  

SANA Fatima ,  

TIAN Sicong ,  

BIMBERG Dieter ,  

摘要

1,060 nm 반도체 레이저의 고휘도, 저발산각 출력을 실현하기 위해 고휘도 수직 와이드 영역 측면 방출(HiBBEE) 에피택셜 칩을 사용하여 HiBBEE 원뿔형 반도체 레이저를 설계하고 성공적으로 제작하였다. 이 레이저는 7 μm 협폭 능동도파로 단일 모드 출력을 실현하며, 후방 캐비티의 100 μm 원뿔형 도파로 부분을 통해 출력 증폭을 수행한다. 작동 전류 1.5 A 조건에서 레이저 휘도는 25 MW·cm-2·sr-1에 달한다. HiBBEE 구조를 통해 수직 방향 발산각을 8.0°로 감소시켰다. 이 레이저는 사람 눈 안전을 위한 라이다 등 분야에서 중요한 응용을 가지고 있다.

关键词

원뿔형 반도체 레이저;수직 와이드 영역 측면 방출 레이저;고휘도;빔 품질

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