양자점 발광 다이오드(QLED)는 우수한 광학 성능과 용액 가공 특성으로 차세대 디스플레이 및 조명 기술의 유력한 후보로 자리잡고 있다. 그러나 PEDOT∶PSS와 같은 전통적인 정공 주입 재료는 여러 문제를 안고 있어 성능 향상이 제한된다. 본 논문에서는 정공 주입층으로 구리 티오시아네이트(Copper thiocyanate, 약칭 CuSCN)를 사용하고, 발광층으로 녹색 CdSe/ZnS 양자점을 사용했으며, PVK와 Poly-TPD와 같은 다양한 정공 수송층(HTL)을 결합하여 용액 가공 공정으로 녹색 QLED 소자를 제작하고, 교류 구동과 직류 구동 하에서 소자의 광전 특성을 비교 분석하였다. 연구 결과 CuSCN과 PVK 사이의 에너지 장벽이 계면에서 전하 가둠 현상을 일으켜 소자 성능을 저하시켰으며, poly-TPD 도입 후에는 더 높은 정공 이동도와 더 얕은 HOMO 에너지 준위 덕분에 계면 전하 가둠이 효과적으로 감소하여 소자의 발광 밝기와 전류 효율이 크게 향상되었으며, 최대 발광 밝기와 최대 전류 효율은 각각 132,075 cd/m²와 15.6 cd/A에 달했다. 본 연구는 CuSCN/HTL 계면 전하 가둠이 QLED 성능에 미치는 영향 메커니즘을 밝히며, 고효율 용액 가공 QLED에서 무기 CuSCN 적용에 이론적 근거와 실용적 지침을 제공한다.

구리 티오시아네이트;양자점 발광 다이오드;정공 주입층;가둠 전하;교류 구동