현재 다양한 양자점 패터닝 기술을 통해 제조된 고해상도 양자점 발광다이오드(Quantum dot light-emitting diode, QLED)는 일반적으로 낮은 효율 문제에 직면해 있으며, 주요 원인은 픽셀 간에 큰 누설 전류가 존재하기 때문입니다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문은 나노임프린트 기술을 사용하여 벌집 모양의 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate), PMMA) 박막을 제조하였으며, 이를 QLED 발광층의 전하 차단층으로 적용하여 해상도 8,467 픽셀 퍼 인치(PPI)의 적색 QLED 소자를 성공적으로 얻었습니다. PMMA의 우수한 절연 특성으로 인해 전하 차단층은 전자 수송층과 정공 수송층 간의 직접 접촉을 성공적으로 차단하였으며, 제조된 소자의 누설 전류는 차단층이 없는 패터닝 소자에 비해 크게 감소하여 외부 양자 효율(External quantum efficiency, EQE)이 크게 향상되어 최대 EQE는 15.31%, 최대 밝기는 100,274 cd/m²에 달했습니다.

양자점 발광다이오드(QLED); 나노임프린트; 고해상도; 전하 차단층