광전 검출기의 성능은 광흡수 효율, 감도 및 정확도 등 다양한 매개변수를 포함하며, 광전 효과, 광전도 효과, 열전기 효과, 광열 효과 및 광 게이트 효과 등 다양한 광-전 변환 효과와 관련되어 있습니다. 광 게이트 효과는 빛이 조사된 후, 광민감 재료 내에서 일부 광기생 전하 운반자가 함정에 포획되어 함정 상태에 들어가 광전 검출기의 도전 채널 내 전하 운반자의 수송 특성에 영향을 미치는 현상을 의미합니다. 본 논문에서는 광 게이트 효과와 이 효과가 광전 검출기 성능 향상에 미치는 응용에 대해 개괄적으로 설명합니다. 먼저 광 게이트 효과의 기본 원리를 소개하고, 그 다음 증폭 및 대역폭, 감도 및 응답 시간, 트랜스퍼 특성 곡선 등 광전 검출기 성능에 미치는 영향을 논의합니다. 광 게이트 효과는 주로 광 신호의 전기 신호 출력을 제어하여 약한 광 신호에 대한 검출기의 감도, 동적 범위 및 신호 대 잡음비를 향상시키는 역할을 합니다. 특히 본 논문은 나노와이어, 그래핀 및 기타 2차원 재료를 포함한 저차원 광전 검출기에서의 광 게이트 효과 응용을 중점적으로 다룹니다. 마지막으로 페로브스카이트 광전 검출기 성능 향상에서 광 게이트 효과의 중요한 역할을 논의하고 미래 연구 방향을 전망합니다.

광 게이트 효과; 증폭; 감도; 저차원 재료; 페로브스카이트