摘要
페롭스카이트 태양전지(PSCs)의 전자 수집 특성은 소자의 성능에 영향을 미치는 주요 요인 중 하나입니다. 화학욕 침전법으로 제조된 산화주석(SnO2)은 PSCs에서 흔히 사용되는 전자 전송층 재료이지만, 표면에 많은 산소 공공 결함이 존재하여 SnO2/페롭스카이트 매립 계면에서 비복사 재결합 손실을 초래합니다. 본 논문에서는 사염화주석(SnCl4)과 암모늄 크로메이트((NH4)2CrO4) 이중 분자 패시베이션을 이용하여 PSCs 매립 계면을 처리하였고, 광전 변환 효율이 23.71%에 달하는 소자를 성공적으로 제작하였습니다. SnCl4가 수해리된 후 SnO2 박막 위에 작은 크기의 SnO2 입자가 생성되어 평탄한 표면 구조를 형성하며; (NH4)2CrO4는 산화제로 작용하여 p형 반도체 Cr2O3 초박막층을 생성하며 SnO2와 p-n 접합을 형성하여 SnO2 표면의 과도한 산소 공공을 보상하고 매립 계면에서의 비복사 재결합을 감소시켜 전하 추출 효율을 향상시킵니다. 동시에 이중 분자 패시베이션된 SnO2 위에 제조된 페롭스카이트 박막의 결정립 크기가 증가하고 결함 밀도가 감소합니다.
关键词
페롭스카이트 태양전지;산화주석;결함;이중 분자 패시베이션
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