摘要
근적외선 형광체 변환 발광 다이오드(NIR pc-LED)는 식물 조명 및 생물 영상 등 분야에서 높은 응용 가치를 나타내며, 근적외선 형광체의 발광 효율과 열 안정성은 장치의 최종 성능에 직접적인 영향을 미치므로 효율적이고 열에 안정한 근적외선 형광체 개발이 매우 중요합니다. 본 논문에서는 고온 고체상법을 이용하여 산호석 구조를 갖는 고효율 근적외선 형광체 Y3Iny Ga5-x -y O12∶x Cr3+를 합성하였으며, 발광 스펙트럼은 600~1,000 nm를 포함합니다. In3+ 함량 조절을 통해 스펙트럼 조율이 가능하며, 최대 95.8%의 내부 양자 효율을 달성하였습니다. 또한, 해당 형광체는 우수한 열 안정성을 갖추고 있습니다. 실험 결과, 실온과 비교하여 423 K에서 발광 세기의 83.6%가 유지됨을 확인하였습니다. 마지막으로, 이 형광체와 상용 청색 LED를 이용하여 고효율 NIR pc-LED 장치를 제작하였으며, 350 mA 전류 구동하에 273.5 mW의 근적외선 출력 전력을 달성하였습니다. 이러한 결과는 해당 시리즈의 근적외선 형광체 및 NIR pc-LED 장치가 큰 응용 잠재력을 지님을 나타냅니다.
关键词
근적외선 형광체;pc-LED;스펙트럼 조율;발광 재료
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