근적외선 형광체 변환 발광 다이오드(NIR pc-LED)는 식물 조명, 생체 이미징 등 분야에서 높은 응용 가치를 보이며, 근적외선 형광체의 발광 효율과 열 안정성은 장치의 최종 성능에 직접적인 영향을 미치기 때문에 고효율 및 열 안정성이 우수한 근적외선 형광체 개발이 매우 중요합니다. 본 논문에서는 고온 고상법을 사용하여 가넷 구조의 고효율 근적외선 형광체 Y₃In_yGa_5-x-yO₁₂∶xCr³⁺를 제조하였으며, 발광 스펙트럼은 600~1000nm를 포함합니다. In³⁺ 함량 조정을 통해 스펙트럼 조율을 달성하였고, 최대 95.8%의 내부 양자 효율을 실현하였습니다. 동시에 이 형광체는 우수한 열 안정성을 가지고 있습니다. 실험 결과, 423K에서 발광 강도는 실온 대비 83.6%를 유지함을 보여줍니다. 마지막으로 이 형광체와 상용 청색 LED를 이용해 고효율 NIR pc-LED 소자를 제작하였으며, 350mA 전류 구동 시 273.5mW의 근적외선 출력 전력을 달성하였습니다. 이러한 결과는 이 근적외선 형광체 및 NIR pc-LED 소자가 큰 응용 잠재력을 가지고 있음을 나타냅니다.

근적외선 형광체;pc-LED;스펙트럼 조율;발광 재료