InAlGaAs/AlGaAs 다중 양자우물(MQWs)은 넓은 스펙트럼 범위로 인해 근적외선 및 가시광 영역에서 점점 더 많은 관심을 받고 있으며 신흥 연구 분야가 되고 있다. 본 연구에서는 MOCVD 성장 기술을 이용하여 InAlGaAs/AlGaAs 다중 양자우물 재료를 제조하였다. 삽입층(ISL) 재료 선택 시 고려해야 할 주요 요소와 이론적 계산을 바탕으로 삽입층 구조가 양자우물 발광 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 삽입층이 없는 InAlGaAs 양자우물과 두께와 알루미늄 조성이 다른 AlGaAs 삽입층을 설계하고 성장시켰다. 실험 결과, 삽입층 도입이 양자우물의 발광 강도를 현저히 향상시키는 것으로 나타났다. 샘플 자체에 국소 상태가 존재함에도 불구하고 삽입층의 존재가 더 많은 국소 상태를 유발하지 않았으며, 삽입층은 양자우물 내의 캐리어 재결합 메커니즘을 변화시키지 않았다. 연구 결과는 InAlGaAs 양자우물 구조 최적화 및 삽입층 기술에 중요한 이론적 분석과 실험 데이터를 제공하며, 합리적인 삽입층 설계를 통해 InAlGaAs 양자우물의 광학적 성능을 크게 향상시킬 수 있음을 보여준다.

InAlGaAs 다중 양자우물; 삽입층; 금속유기화합물화학기상증착법(MOCVD)