청록 빛 발광 재료는 형광체 변환형 LED 전스펙트럼 광원 구현에 중요한 역할을 합니다. 본 논문에서는 고온 고상법을 이용하여 Bi³⁺이 도핑된 가닛구조 고체용액 발광 재료 GdSr₂ScMgGe₃O₁₂을 합성하였습니다. XRD 구조 정밀 분석, 성분 분석, 광발광 스펙트럼 등의 특성을 통해 재료의 구조, 조성 및 발광 특성을 종합적으로 분석하였습니다. GdSr₂ScMgGe₃O₁₂∶Bi³⁺는 자외선-보라색 영역에서 효과적으로 여기되며, 근자외선 발광(λ_em=340 nm)과 광대역 청록 발광(λ_em=480 nm)을 나타냅니다. 또한 Bi³⁺의 발광 전이 메커니즘을 설명하였습니다. 재료 구조와 발광 특성을 결합하여 Bi³⁺가 본 고체용액 재료 내에서 동시에 ［Sr/GdO₈］와 ［Sc/MgO₆］ 위치를 차지하며, 특히 ［Sc/MgO₆］ 격자의 Bi³⁺ 청록 발광 거동을 중점 분석하였습니다. 발광 효율 및 형광 열안정성도 평가하였습니다. 마지막으로, 제조된 청록색 형광 재료를 WLED 패키징에 적용하여 낮은 색온도(CCT=3 761 K)와 높은 연색성 지수(CRI=92.3)를 가진 저청광 전스펙트럼 WLED를 얻었습니다.

Bi³⁺ 도핑; 전스펙트럼 조명; WLED; 청록광 발광 재료