摘要
청록색 발광 재료는 형광체 변환형 LED 전 스펙트럼 광원 구현에 중요한 역할을 합니다. 본 논문에서는 고온 고상법을 이용하여 Bi3+ 이 도핑된 석류석 구조의 고용체 발광 재료 GdSr2ScMgGe3O12를 제조하였다. XRD 구조 정밀 분석, 원소 분석, 광유도 분광법 등을 통해 재료의 구조, 조성 및 발광 특성을 종합적으로 분석하였다. GdSr2ScMgGe3O12∶Bi3+는 자외선-보라색 영역에서 효과적으로 여기될 수 있으며, 각각 근자외선 방출(λem=340 nm) 및 폭넓은 청록색 발광(λem=480 nm)을 나타낸다. 또한 Bi3+의 발광 전이 메커니즘을 설명하였다. 재료의 구조 및 발광 특성을 종합하여 Bi3+가 본 고용체 재료에서 동시에 [Sr/GdO8] 및 [Sc/MgO6] 위치를 차지함을 밝혔으며, Bi3+가 [Sc/MgO6] 격자 위치를 차지한 청록색 방출 거동을 중점 분석하였다. 또한 재료의 발광 효율과 형광 열안정성을 평가하였다. 마지막으로 제조한 청록색 형광 재료를 WLED 패키징에 적용하여 저색온도(CCT=3,761 K)와 높은 연색지수(CRI=92.3)를 가진 저청색광 전 스펙트럼 WLED를 구현하였다.
关键词
Bi3+ 도핑; 전 스펙트럼 조명; WLED; 청록색 발광 재료
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