청록광 발광 재료는 형광체 변환형 LED 전스펙트럼 광원 구현에 중요한 역할을 합니다. 본 논문에서는 Bi³⁺ 이온이 도핑된 석류석 구조 고용체 발광 재료 GdSr₂ScMgGe₃O₁₂를 고온 고상법으로 합성하였습니다. XRD 구조 정정, 원소 분석, 광발광 스펙트럼 등으로 재료의 구조, 조성 및 발광 성능을 종합적으로 분석하였습니다. GdSr₂ScMgGe₃O₁₂∶Bi³⁺는 자외선~보라광 영역에서 효과적으로 여기될 수 있으며, 근자외선 발광(λ_em=340 nm)과 광대역 청록광 발광(λ_em=480 nm)을 나타냅니다. 또한 Bi³⁺의 발광 전이 메커니즘을 설명하였습니다. 재료의 구조 및 발광 특성을 토대로 Bi³⁺가 본 고용체에서 [Sr/GdO₈]와 [Sc/MgO₆] 위치를 동시에 차지함을 도출하였으며, 특히 Bi³⁺가 [Sc/MgO₆] 격자 위치를 점유했을 때의 청록광 발광 거동을 중점 분석하고, 재료의 발광 효율 및 형광 열 안정성을 평가하였습니다. 마지막으로 합성한 청록색 발광 재료를 WLED 패키징에 적용하여 낮은 색온도(CCT=3761 K) 및 높은 연색성 지수(CRI=92.3)를 가지는 저청광 전스펙트럼 WLED를 획득하였습니다.

Bi³⁺ 도핑; 전스펙트럼 조명; WLED; 청록광 발광 재료