摘要
산화아연 나노 냉음극은 우수한 전계 방출 특성, 안정적인 화학 특성 및 저비용 대면적 제조 용이성을 겸비하여 대면적 냉음극 전자원 장치에 중요한 응용을 가지고 있다. 다년간의 연구를 거쳐 산화아연 나노 냉음극의 전계 방출 메커니즘, 성능 조절, 전자원 장치 응용 등이 차례로 보고되었다. 산화아연 나노 냉음극의 실제 적용을 더욱 추진하기 위해서는 그 개발 현황과 도전을 요약할 필요가 있다. 이 논문은 대면적 냉음극 전자원 장치의 성능 요구를 출발점으로 하여 전계 방출 특성 조절, 게이트 구조 설계 및 제조, X선원 장치 응용 탐색의 세 가지 측면에서 산화아연 나노 냉음극 연구 진전을 요약하고, 마지막으로 미래 연구 동향과 도전을 전망한다.
关键词
산화아연 나노와이어;냉음극;평판 전자원;평판 X선원
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