통합 광자 장치 기술의 최신 발전은 콤팩트하고 효율적인 광전자 시스템에 대한 시장 요구를 충분히 충족시키는 동시에 광학 초표면 기술의 발전을 크게 촉진했습니다. 그중 수직공진면발광레이저(VCSEL)와 초표면의 통합은 특정 파면을 갖는 벡터 빔을 생성하여 광전자 시스템의 기능성과 유연성을 크게 향상시킵니다. 본 논문에서는 Si₃N₄ 나노안테나 배열 초표면 기반의 850 nm VCSEL을 설계하였고, 나노안테나 구조 매개변수를 조절하여 2<inline-formula><alternatives><math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"><mi mathvariant="normal">π</mi></math><graphic specific-use="big" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="alternativeImage/82E599C0-0906-4f67-9581-2E0D9CF575F6-M001.jpg"?></graphic><graphic specific-use="small" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="alternativeImage/82E599C0-0906-4f67-9581-2E0D9CF575F6-M001c.jpg"?></graphic></alternatives></inline-formula> 이상의 위상 커버리지를 달성하였으며, 1차 및 2차 소용돌이 위상판을 사용하여 다양한 차수의 소용돌이 빔을 성공적으로 생성했습니다. 이 성과는 광학 초표면을 통한 VCSEL 광장 제어 기술에 새로운 방향을 제시합니다.

초표면;소용돌이 빔;수직공진면발광레이저;집적 광자 장치