ZnO는 전형적인 3세대 반도체 재료로, 밴드갭 폭은 3.37 eV입니다. 본질적인 ZnO는 n형 반도체이며, 도너 원소를 도핑하는 기술을 통해 n형 전도 특성을 크게 향상시킬 수 있습니다. ZnO 기반 투명 전도성 박막은 원료가 풍부하고, 다양한 제조 방법이 있으며, 상온에서 성장할 수 있다는 장점이 있어 광전자, 센서, 광열 등 다양한 분야에 응용할 수 있습니다. 그중 Al 도핑 ZnO(AZO)는 전형적인 투명 전도성 산화물(TCO)로 많은 관심을 받고 있습니다. 본 논문에서는 AZO 박막을 주요 대표로 하여 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 최신 연구 진행 상황을 개괄하였으며, 도핑된 ZnO 단일 박막, ZnO 기반 다층 박막, 유연한 ZnO 기반 박막 등 다양한 유형의 투명 전도성 박막의 물리화학적 특성을 포함하였습니다; 또한 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 이동도, 밴드갭, 투과율/흡수율/반사율 등의 광전 특성과 그 내재적 관계를 중점적으로 논의하였으며; 발광 다이오드, 태양광 전지, 센서, 반도체 난방 등 분야에서 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 적용 상황을 자세히 소개하였고; 마지막으로 존재하는 도전 과제와 미래 발전 방향을 전망하였습니다.

산화아연; 투명 전도성 박막; 도너 도핑; AZO; 광전자 특성