ZnO는 전형적인 3세대 반도체 재료로, 밴드갭은 3.37 eV입니다. 본질적인 ZnO는 n형 반도체이며, 도너 원소 도핑 기술을 통해 n형 전도 특성을 크게 향상시킬 수 있습니다. ZnO 기반 투명 전도성 박막은 원료가 풍부하고, 제조 방법이 다양하며 실온에서 성장할 수 있는 장점이 있어 광전, 센서, 광열 등 다양한 분야에 응용될 수 있습니다. 그중 Al 도핑 ZnO(AZO)는 전형적인 투명 전도성 산화물(TCO)로 많은 관심을 받고 있습니다. 본 논문은 AZO 박막을 주요 대표로 하여 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 최신 연구 동향을 종합적으로 검토하였으며, 도핑된 ZnO 단일층 박막, ZnO 기반 다층 박막, 유연한 ZnO 기반 박막 등 다양한 유형의 투명 전도성 박막의 물리화학적 특성을 포함합니다; 특히 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 이동도, 밴드갭, 투과율/흡수율/반사율 등 광전 특성과 이들의 내재적 관계를 중점적으로 다루었습니다; 또한 ZnO 기반 투명 전도성 박막의 발광 다이오드, 태양광 전지, 센서, 반도체 가열 분야의 적용 현황을 상세히 소개하였으며; 마지막으로 존재하는 도전 과제와 미래 발전 동향을 전망하였습니다.

산화아연;투명 전도성 박막;도너 도핑;AZO;광전 특성