ZnO 기반 소자의 음의 광전도 특성 연구

ZHANG Qingyi ,  

YANG Yuxin ,  

LIU Kai ,  

WANG Lei ,  

CHEN Feng ,  

XU Chunxiang ,  

摘要

3세대 반도체 소자에서 가장 유명한 n형 금속 산화물 중 하나인 산화아연은 높은 검출률, 높은 광학 이득, 높은 감도 등의 특성으로 인해 고성능 자외선 광 전기 탐지기 구성에 자주 사용된다. 산화아연의 광전도 특성은 표면과 계면 특성 및 전도대 근처의 결함 상태에 의한 광생성 전하 운반체의 포획 및 방출에 크게 의존한다. 연구에 따르면, 전하 운반체 손실과 결함 포획으로 인해 ZnO 소자에서 지속 광전도현상(Persistent photoconductivity)과 심지어 음의 광전도 효과(Negative photoconductivity, NPC)도 관찰될 수 있다. 본 논문은 ZnO 소자의 양의 광전도 메커니즘에서 출발하여, 다양한 제조 조건과 환경 온도, 다양한 구동 방식, 유전체 복합체 및 이종 구조에서 관찰된 음의 광전도 현상 및 음의 광전도 효과의 미시적인 물리적 메커니즘을 상세히 소개한다. 산화아연의 음의 광전도 특성 연구는 고효율 논리회로, 발광 다이오드, 태양 전지 및 초고해상도 영상 센서 구축에 새로운 아이디어를 제공할 수 있다.

关键词

산화아연;광전 특성;음의 광전도

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