금속 산화물 박막 트랜지스터(Metal oxide thin film transistors, MOTFTs)는 높은 캐리어 이동도와 우수한 전기적 안정성으로 인해 대형 발광 디스플레이 구동 백플레인 응용에 큰 잠재력을 가지고 있습니다. 또한 MOTFTs는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 제조 공정과 호환되어 제조 비용이 낮고 시장 경쟁력이 큽니다. 그러나 MOTFTs 성능을 평가하는 두 가지 핵심 지표인 이동도와 안정성 간의 모순이 고급 디스플레이 응용을 제한합니다. 따라서 높은 이동도와 높은 안정성을 동시에 갖춘 MOTFTs 개발이 연구의 중심이자 산업 경쟁의 초점이 되었습니다. 많은 연구에서 희토류 도핑 산화물 반도체 재료 시스템이 이 목표 달성에 유망함을 보여주고 있습니다. 본 논문은 높은 이동도와 높은 안정성을 갖춘 희토류 도핑 산화물 재료 설계 및 MOTFTs의 성능을 주로 검토하고, 희토류 도핑 금속 산화물 박막 트랜지스터(RE-MOTFTs)가 직면한 도전과 발전 가능성을 논의합니다.

금속 산화물 박막 트랜지스터;희토류 원소;이동도;안정성